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IXBF12N300价格
参考价格：￥166.9450
型号：IXBF12N300 品牌：IXYS 备注：这里有IXBF12N300多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXBF12N300批发/采购报价，IXBF12N300行情走势销售排行榜，IXBF12N300报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXBF12N300 | High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor 文件：207.3 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXBF12N300 | 封装/外壳：i4-Pac™-5（3 引线） 包装：托盘 描述：IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 | | |
IXBF12N300 | BiMOSFET™ 超高电压 | Littelfuse 力特 | | |
High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● High Voltage Package ● High Blocking Voltage ● Anti-Parallel Diode ● Low Conduction Losses Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Density Applications: ● Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ● Uninterruptible Power Supplies (UPS) ● Laser Generators ● Ca | IXYS 艾赛斯 | | ||
High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● High Blocking Voltage ● International Standard Packages ● Anti-Parallel Diode ● Low Conduction Losses Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Density Applications: ● Switched-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ● Uninterruptible Power Supplies (UPS) ● Laser Gen | IXYS 艾赛斯 | | ||
High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● High Blocking Voltage ● International Standard Packages ● Anti-Parallel Diode ● Low Conduction Losses Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Density Applications: ● Switched-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ● Uninterruptible Power Supplies (UPS) ● Laser Gen | IXYS 艾赛斯 | | ||
High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● High Blocking Voltage ● International Standard Packages ● Anti-Parallel Diode ● Low Conduction Losses Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Density Applications: ● Switched-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ● Uninterruptible Power Supplies (UPS) ● Laser Gen | IXYS 艾赛斯 | |
IXBF12N300产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXBF12N300
- 功能描述
IGBT 3000V 22A 100W ISOPLUSI4
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
BIMOSFET™
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
69000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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IXYS/LITTELFUSE |
2015 |
I4-PAK |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
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IXYS |
24+ |
ISOPLUS i4-PAC? |
65200 |
一级代理/放心采购 |
|||
IXYS |
24+ |
con |
2500 |
优势库存,原装正品 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
NA |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IXYS |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
||||
IXYS |
22+ |
ISOPLUS i4PAC? |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IXYS |
25+ |
TO-247 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS |
25+ |
ISOPLUSi4-PAC |
4258 |
原装正品 价格优势 |
IXBF12N300规格书下载地址
IXBF12N300参数引脚图相关
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2020-4-10
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