IXBH12N300价格

参考价格:¥102.7354

型号:IXBH12N300 品牌:IXYS 备注:这里有IXBH12N300多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXBH12N300批发/采购报价,IXBH12N300行情走势销售排行榜,IXBH12N300报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXBH12N300

High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ● High Blocking Voltage ● International Standard Packages ● Anti-Parallel Diode ● Low Conduction Losses Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Density Applications: ● Switched-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ● Uninterruptible Power Supplies (UPS) ● Laser Gen

IXYS

艾赛斯

IXBH12N300

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ● High Blocking Voltage ● International Standard Packages ● Anti-Parallel Diode ● Low Conduction Losses Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Density Applications: ● Switched-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ● Uninterruptible Power Supplies (UPS) ● Laser Gen

IXYS

艾赛斯

IXBH12N300

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 3000V 30A 160W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ● High Voltage Package ● High Blocking Voltage ● Anti-Parallel Diode ● Low Conduction Losses Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Density Applications: ● Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ● Uninterruptible Power Supplies (UPS) ● Laser Generators ● Ca

IXYS

艾赛斯

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ● High Blocking Voltage ● International Standard Packages ● Anti-Parallel Diode ● Low Conduction Losses Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Density Applications: ● Switched-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ● Uninterruptible Power Supplies (UPS) ● Laser Gen

IXYS

艾赛斯

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

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IXYS

艾赛斯

IXBH12N300产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXBH12N300

  • 功能描述

    IGBT 3000V 30A 160W TO247

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    BIMOSFET™

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-8-15 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Littelfuse/IXYS
24+
TO-247
928
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
IXYS
22+23+
TO-247
8000
新到现货,只做原装进口
IXYS
1932+
TO-247
535
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS/艾赛斯
21+
TO-247
10000
原装现货假一罚十
IXYS/艾赛斯
24+
TO-247
33500
全新进口原装现货,假一罚十
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS/艾赛斯
1125
TO-247
880000
明嘉莱只做原装正品现货
IXYS
24+
TO-247
8000
原装,正品
IXYS
24+
TO-247
5000
全新原装正品,现货销售
IXYS
17+
TO-247
6200
100%原装正品现货

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