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位置：首页 > IC中文资料第1079页 > IRL3103STRL

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRL3103STRLPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：656.95 Kbytes Page：11 Pages

IRF

FJV3103R

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Switching Application (Bias Resistor Built In) • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor (R1=22KΩ, R2=22KΩ) • Complement to FJV4103R

FAIRCHILD

仙童半导体

HPLU3103

52A, 30V, 0.019 Ohm, N-Channel Logic Level, Power MOSFETs

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as

FAIRCHILD

仙童半导体

IRLR3103

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.019ohm, Id=46A??

文件：164.75 Kbytes Page：10 Pages

IRF

PT3103A

15 WATT 48V TO 5V/12V/15V ISOLATED DC-DC CONVERTER

文件：197.74 Kbytes Page：3 Pages

TI

德州仪器

PT3103C

15 WATT 48V TO 5V/12V/15V ISOLATED DC-DC CONVERTER

文件：197.74 Kbytes Page：3 Pages

TI

德州仪器

IRL3103STRL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRL3103STRL

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRL3103STRL供应商更多...

更新时间：2026-3-15 13:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市斌腾达科技有限公司
IRL3103STRLPBF
Infineon Technologies
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D2PAK
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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深圳市中联芯电子有限公司
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深圳市勤思达科技有限公司
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IRL3103STRLPBF
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深圳市莱克讯科技有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
IRL3103STRLPBFMOS(场效应管)
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艾睿（深圳）半导体有限公司
IRL3103STRLPBF
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