型号： IRL40SC209
品牌： Infineon(英飞凌)
封装： D2PAK-7P
描述：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：478A 功率(Pd)：375W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.8mΩ@100A,10V
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-7
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 478 A
Rds On-漏源导通电阻: 600 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 267 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 375 W
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 138 ns
正向跨导 - 最小值: 244 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 182 ns
包装数量：800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 182 ns
典型接通延迟时间: 63 ns
零件号别名: IRL40SC209 SP001568434
单位重量: 4.675 g
