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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRL3103STRLPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

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IRF

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Switching Application (Bias Resistor Built In) • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor (R1=22KΩ, R2=22KΩ) • Complement to FJV4103R

FAIRCHILD

仙童半导体

52A, 30V, 0.019 Ohm, N-Channel Logic Level, Power MOSFETs

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as

FAIRCHILD

仙童半导体

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.019ohm, Id=46A??

文件:164.75 Kbytes Page:10 Pages

IRF

15 WATT 48V TO 5V/12V/15V ISOLATED DC-DC CONVERTER

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TI

德州仪器

15 WATT 48V TO 5V/12V/15V ISOLATED DC-DC CONVERTER

文件:197.74 Kbytes Page:3 Pages

TI

德州仪器

IRL3103STRLPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRL3103STRLPBF

  • 功能描述

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-8-4 12:25:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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D2PAK
12300
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TO-263

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