IRL2910STR公司大量原装正品现货/长期供应LPBF

发布企业:瀚佳科技(深圳)有限公司时间:2019-5-8 12:10:00

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IRL2910STRLPBF数据表

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 55 A

Rds On-漏源导通电阻: 260 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 16 V

Qg-栅极电荷: 93.3 nC

Pd-功率耗散: 3.8 W

配置: Single

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 6.22 mm

商标: Infineon Technologies

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 800

子类别: MOSFETs

零件号别名: SP001571800

单位重量: 4 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

HEXFET POWER MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF

Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.026廓 , ID = 55A )

IRF

International Rectifier

IRF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRF

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRF

HEXFET POWER MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF

Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2025-6-2 23:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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