型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRGP30B120KDPBF

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 1200V 60A 300W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 1200V VCE(on) typ. = 2.28V VGE = 15V, IC = 25A, 25°C INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE(on) Non Punch Through (NPT) Technology • Low Diode VF (1.76V Typical @ 25A & 25°C) • 10 µs Short Circuit Capability

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE(on) Non Punch Through (NPT) Technology • Low Diode VF (1.76V Typical @ 25A & 25°C) • 10 μs Short Circuit Capability • Square RBSOA • Ultrasoft Diode Recovery Characteristics • Positive VCE(on) Temperature Coefficient • Extended Lead TO-247AD Package • Lead-Free Bene

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

Power Schottky Rectifier - 30Amp 120Volt

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SIRECT

矽莱克半导体

Power Schottky Rectifier - 30Amp 120Volt

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SIRECT

矽莱克半导体

IRGP30B120KDPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGP30B120KDPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-19 20:13:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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1932+
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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Infineon Technologies
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TO247AC
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原厂渠道,现货配单
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TO-247AC
12300
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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原装
8000
只做原装现货
Infineon Technologies
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TO-247AC
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
Infineon Technologies
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