型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRGP30B120KDPBF

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 1200V 60A 300W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

VCES=1200V VCE(on)typ.=2.28V VGE=15V,IC=25A,25°C INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThrough(NPT)Technology •LowDiodeVF(1.76VTypical@25A&25°C) •10µsShortCircuitCapability

IRFInternational Rectifier

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IRF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •LowVCE(on)NonPunchThrough(NPT)Technology •LowDiodeVF(1.76VTypical@25A&25°C) •10μsShortCircuitCapability •SquareRBSOA •UltrasoftDiodeRecoveryCharacteristics •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient •ExtendedLeadTO-247ADPackage •Lead-Free Bene

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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PowerSchottkyRectifier-30Amp120Volt

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SIRECTSirectifier Global Corp.

矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)

SIRECT

PowerSchottkyRectifier-30Amp120Volt

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SIRECTSirectifier Global Corp.

矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)

SIRECT

IRGP30B120KDPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGP30B120KDPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-22 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
23+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
Infineon Technologies
21+
TO247AC
13880
公司只售原装,支持实单
IR
TO-247
6000
原装现货,长期供应,终端可账期
IR
21+ROHS
TO-247AC
12300
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
IR
07+/08+
TO-247AD
31
IR
06+
TO-247
600
原装库存
IR
2023+
TO-247AC
16800
芯为只有原装,公司现货
Infineon Technologies
22+
TO247AC
9000
原厂渠道,现货配单
Infineon
1931+
N/A
493
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