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IRGP30B120KD-E价格

参考价格：￥16.2876

型号：IRGP30B120KD-EP 品牌：International 备注：这里有IRGP30B120KD-E多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRGP30B120KD-E批发/采购报价，IRGP30B120KD-E行情走势销售排行榜，IRGP30B120KD-E报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRGP30B120KD-E

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 1200V VCE(on) typ. = 2.28V VGE = 15V, IC = 25A, 25°C INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE(on) Non Punch Through (NPT) Technology • Low Diode VF (1.76V Typical @ 25A & 25°C) • 10 µs Short Circuit Capability

IRF

IRGP30B120KD-E

1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package

1200V IGBT 与超快 5-40 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-247AD 封装中。 • 低 VCE(on) 非穿通型(NPT) 技术\n• 低二极管 VF（1.76V 典型 @ 25A & 25°C）\n• 10 μS 短路能力\n• 方形 RBSOA\n• 超软二极管恢复特性\n• 正 VCE(on) 温度系数\n• 无铅\n\n优势:\n• 电机控制应用基准效率\n• 强健的瞬态性能\n• 低 EMI\n• 对缓冲的需求显著降低\n• 并联工作时电流共享表现出色\n• 引脚更长，安装更方便;

INFINEON

英飞凌

IRGP30B120KD-EP

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE(on) Non Punch Through (NPT) Technology • Low Diode VF (1.76V Typical @ 25A & 25°C) • 10 μs Short Circuit Capability • Square RBSOA • Ultrasoft Diode Recovery Characteristics • Positive VCE(on) Temperature Coefficient • Extended Lead TO-247AD Package • Lead-Free Bene

IRF

IRGP30B120KD-EP

封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 1200V 60A 300W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

IRGP30B120KD-EPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：297.03 Kbytes Page：13 Pages

IRF

IRGP30B120KD-EPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：297.03 Kbytes Page：13 Pages

IRF

MBR30B120CTH

Power Schottky Rectifier - 30Amp 120Volt

文件：133.65 Kbytes Page：3 Pages

SIRECT

矽莱克半导体

MBR30B120FCTH

Power Schottky Rectifier - 30Amp 120Volt

文件：133.65 Kbytes Page：3 Pages

SIRECT

矽莱克半导体

IRGP30B120KD-E产品属性

  • 类型

    描述

  • Technology ：

    IGBT Gen 5

  • Switching Frequency min max：

    8.0kHz 30.0kHz

  • Package ：

    TO-247

  • Voltage Class max：

    1200.0V

  • IC(@100°) max：

    30.0A

  • IC(@25°) max：

    60.0A

  • ICpuls max：

    120.0A

  • Ptot max：

    300.0W

  • VCE(sat) ：

    2.46V 

  • Eon ：

    1.066mJ 

  • Eoff(Hard Switching) ：

    1.493mJ 

  • td(on) ：

    50.0ns 

  • tr ：

    25.0ns 

  • td(off) ：

    210.0ns 

  • tf ：

    60.0ns 

  • QGate ：

    169.0nC 

  • IF max：

    120.0A

  • VF ：

    1.86V 

  • Irrm ：

    34.0A 

  • Ets  (max)：

    2.559mJ (3.05mJ)

  • VCE max：

    1200.0V

IRGP30B120KD-E供应商更多...

更新时间：2026-7-30 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
IRGP30B120KD-E
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