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IRGP30B120KD-E	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE VCES=1200V VCE(on)typ.=2.28V VGE=15V,IC=25A,25°C INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThrough(NPT)Technology •LowDiodeVF(1.76VTypical@25A&25°C) •10µsShortCircuitCapability	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGP30B120KD-EP	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThrough(NPT)Technology •LowDiodeVF(1.76VTypical@25A&25°C) •10μsShortCircuitCapability •SquareRBSOA •UltrasoftDiodeRecoveryCharacteristics •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient •ExtendedLeadTO-247ADPackage •Lead-Free Bene	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
MBR30B120CTH	PowerSchottkyRectifier-30Amp120Volt 文件：133.65 Kbytes Page：3 Pages	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)
MBR30B120FCTH	PowerSchottkyRectifier-30Amp120Volt 文件：133.65 Kbytes Page：3 Pages	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)

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更新时间：2024-5-21 10:36:00

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