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IRGB4B60KPBF	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. •Lead-Free. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerfor	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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IRGB4B60KPBF	封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR）描述：IGBT 600V 12A 63W TO220A 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IRGB4B60KPBF_15	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR 文件：325.03 Kbytes Page：14 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGB4B60K	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •Low	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGS4B60K	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •Low	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

IRGB4B60KPBF产品属性

类型
描述
型号
IRGB4B60KPBF
功能描述
IGBT 晶体管 600V Low VCEon
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压
VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V 在25
C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
封装/箱体
TO-247
封装
Tube

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更新时间：2024-5-3 16:30:00

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