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IRGB4B60KPBF中文资料

厂家型号

IRGB4B60KPBF

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14

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IGBT 晶体管 600V Low VCEon

数据手册

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生产厂商

IRF

IRGB4B60KPBF数据手册规格书PDF详情

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Maximum Junction Temperature rated at 175°C.

• Lead-Free.

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

IRGB4B60KPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGB4B60KPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Low VCEon

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-220-3
127
International Rectifier
2022+
1
全新原装 货期两周
INFINEON
25+
TO-220
3675
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
Infineon Technologies
22+
TO220AB
9000
原厂渠道,现货配单
IR
23+
TO220A
6000
原装正品,支持实单
INFINEON
22+
N/A
2500
进口原装,优势现货
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
Infineon Technologies
23+
原装
7000
Infineon Technologies
25+
TO-220-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证