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IRGB4B60KPBF中文资料

厂家型号

IRGB4B60KPBF

文件大小

324.07Kbytes

页面数量

14

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IGBT 晶体管 600V Low VCEon

数据手册

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生产厂商

International Rectifier

简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

LOGO

IRGB4B60KPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGB4B60KPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Low VCEon

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-27 9:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IRF
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
InfineonTechnologies
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TO-220-3
21000
专业分立半导体,原装渠道正品现货
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10000
公司只做原装正品
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NA
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  • ITF
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International Rectifier 英飞凌科技公司

中文资料: 29983条

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技