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IRG4RC20FTRPBF价格
参考价格：￥7.4948
型号：IRG4RC20FTRPBF 品牌：IR 备注：这里有IRG4RC20FTRPBF多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4RC20FTRPBF批发/采购报价，IRG4RC20FTRPBF行情走势销售排行榜，IRG4RC20FTRPBF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRG4RC20FTRPBF | 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 22A 66W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Infineon 英飞凌 |   | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A) Fast Speed IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation IGBTs. • Industry standard TO-252AA package • Co | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation IGBTs. • Industry standard TO-252AA package. • Combiness very lo | IRF | |
IRG4RC20FTRPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4RC20FTRPBF
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz Single IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+23+ |
TO252 |
32809 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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IR |
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TO-252 |
6200 |
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IR |
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SOT252 |
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IR |
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IR |
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IR |
ROHS+Original |
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Infineon Technologies |
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TO-252 |
25800 |
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IR |
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SOT252 |
50000 |
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2023-12-11IRFZ44NSTRLPBF 原装正品.仓库现货
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2021-11-24IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
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2021-11-23IRG4PC50WPBF
属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRKD7104，IRKD71-04，IRKD71-06，IRKD71-08，IRKD71-16，IRKD91-04
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2020-1-12
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