IRG4RC20FTRPBF价格

参考价格:¥7.4948

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4RC20FTRPBF

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 22A 66W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A)

Fast Speed IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation IGBTs. • Industry standard TO-252AA package • Co

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation IGBTs. • Industry standard TO-252AA package. • Combiness very lo

IRF

IRG4RC20FTRPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4RC20FTRPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz Single IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-29 19:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
20+
SOT252
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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INFINEON/英飞凌
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