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芯片资料

参考价格：￥7.4948

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IRG4RC20F	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A) Fast Speed IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation IGBTs. • Industry standard TO-252AA package • Co	IRF	IRF
IRG4RC20F	封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件描述：IGBT 600V 22A 66W DPAK 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4RC20FPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation IGBTs. • Industry standard TO-252AA package. • Combiness very lo	IRF	IRF
IRG4RC20FTR	封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR）描述：IGBT 600V 22A 66W DPAK 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	Infineon 英飞凌	Infineon

IRG4RC20F供应商更多...

更新时间：2025-8-13 9:40:00

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深圳市博中泰实业有限公司	IRG4RC20F	INFINEON/英飞凌	24+	TO-252	60000	全新原装现货	询价

IRGP4266D-EPBF
IRGP4266D-EPBF
2023-12-11
IRFZ44NSTRLPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-24
IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-23
IRG4PC50WPBF
属性参数值商品目录 IGBT管集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27
IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17
IRKD7104，IRKD71-04，IRKD71-06，IRKD71-08，IRKD71-16，IRKD91-04
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2020-1-12