IRG4PH20KPBF价格

参考价格:¥8.4037

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4PH20KPBF

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT

Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

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IRG4PH20KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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IRG4PH20KPBF

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 1200V 11A TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=3.17V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiency

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=3.17V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiency

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=3.17V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations •IGBT

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations •IGBT

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SINGLE-PHASEFULLWAVEBRIDGE4AMPERESFORP.C.BOARDANDHEATSINKMOUNTING

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edi

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IRG4PH20KPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4PH20KPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-27 9:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
23+24
TO-247
59630
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管
IR
23+
TO-247
3000
全新原装
IR
15+
TO-247
11560
全新原装,现货库存,长期供应
InternationRectifer
20+
NA
90000
全新原装正品/库存充足
IRF
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
IR
23+
TO-247
19526
IR
06+
TO-247
150
全新原装 实单必成
IR
2020+
TO-247AD
16800
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?
IR
06+
TO-247
50
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微
Infineon Technologies
23+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务

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