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IRG4PH20价格

参考价格：￥6.9996

型号：IRG4PH20KDPBF 品牌：International 备注：这里有IRG4PH20多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4PH20批发/采购报价，IRG4PH20行情走势销售排行榜，IRG4PH20报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IRG4PH20	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency	IRF	IRF
IRG4PH20	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4PH20K	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency	IRF	IRF
IRG4PH20KD	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT	IRF	IRF
IRG4PH20KD	1200V UltraFast 4-20 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package 1200V IGBT 与4-20 kHz 超快、超软恢复反并联二极管联合封装到 TO-247AC 封装中。 • 对电机控制的高短路额定值进行了优化，tSC=10µs, VCC=720V, TJ=125°C, VGE=15V\n• 低通态损耗与高开关速度相结合\n• 相较于前代，参数分布更紧凑，效率更高\n• 与 HEXFREDTM 二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• 最新第四代 IGBT 提供可行的高功率密度电机控制\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化，将噪声、EMI 和开关损耗降至最低;	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4PH20KDPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT	IRF	IRF
IRG4PH20KPBF	Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous	IRF	IRF
IRG4PH20K	1200V 超快 4-20 kHz 分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4PH20KD	封装/外壳：TO-247-3 包装：管件描述：IGBT 1200V 11A 60W TO247AC 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4PH20KDPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：1.2447 Mbytes Page：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PH20KDPBF	封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR）描述：IGBT 1200V 11A TO247AC 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4PH20KDPBF_15	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：1.2447 Mbytes Page：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PH20KPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：391.55 Kbytes Page：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PH20KPBF_15	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：391.55 Kbytes Page：9 Pages	IRF	IRF
4PH20	SINGLE-PHASE FULL WAVE BRIDGE 4 AMPERES FOR P.C. BOARD AND HEAT SINK MOUNTING 文件：40.59 Kbytes Page：2 Pages	EDI	EDI

IRG4PH20产品属性

类型
描述
Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
30.0kHz 150.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
1200.0V
IC(@100°) max：
5.0A
IC(@25°) max：
11.0A
ICpuls max：
22.0A
Ptot max：
60.0W
VCE(sat) ：
3.17V
Eon ：
0.45mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.44mJ
td(on) ：
23.0ns
tr ：
28.0ns
td(off) ：
100.0ns
tf ：
620.0ns
QGate ：
53.0nC
Ets (max)：
0.89mJ (1.2mJ)
Switching Frequency ：
Gen 4 30-150 kHz
VCE max：
1200.0V

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更新时间：2026-8-2 14:15:00

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