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IRG4PH20KDPBF价格
参考价格：￥6.9996
型号：IRG4PH20KDPBF 品牌：International 备注：这里有IRG4PH20KDPBF多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4PH20KDPBF批发/采购报价，IRG4PH20KDPBF行情走势销售排行榜，IRG4PH20KDPBF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRG4PH20KDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT | IRF |   | |
IRG4PH20KDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：1.2447 Mbytes Page：11 Pages | IRF | | |
IRG4PH20KDPBF | 封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 1200V 11A TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | INFINEON 英飞凌 | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：1.2447 Mbytes Page：11 Pages | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT | IRF | | ||
SINGLE-PHASE FULL WAVE BRIDGE 4 AMPERES FOR P.C. BOARD AND HEAT SINK MOUNTING 文件：40.59 Kbytes Page：2 Pages | EDI | |
IRG4PH20KDPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4PH20KDPBF
- 功能描述
IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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原厂渠道,现货配单 |
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原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
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IRG4PH20KDPBF规格书下载地址
IRG4PH20KDPBF参数引脚图相关
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IRG4PH20KDPBF数据表相关新闻
IRGP4266D-EPBF
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2023-12-11IRFZ44NSTRLPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技 有限公司
2021-11-24IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能 科技有限公司
2021-11-23IRG4PC50WPBF
属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRKD7104，IRKD71-04，IRKD71-06，IRKD71-08，IRKD71-16，IRKD91-04
IRKD7104，IRKD71-04，IRKD71-06，IRKD71-08，IRKD71-16，IRKD91-04
2020-1-12
DdatasheetPDF页码索引
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