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IRG4PC40S价格

参考价格：￥6.0910

型号：IRG4PC40SPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRG4PC40S多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4PC40S批发/采购报价，IRG4PC40S行情走势销售排行榜，IRG4PC40S报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IRG4PC40S	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A) Standard Speed IGBT Features • Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies (	IRF	IRF
IRG4PC40S	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40S	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：902 Kbytes Page：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
IRG4PC40S	600V DC-1 kHz（标准）分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4PC40SD	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40SPBF	封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR）描述：IGBT 600V 60A 160W TO247AC 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4PC40SPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：636.79 Kbytes Page：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40SPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT 文件：627.83 Kbytes Page：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40SPBF_15	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：636.79 Kbytes Page：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A) Benefits • Lower switching losses allow more cost-effective operation than power MOSFETs up to 150 kHz (hard switched mode) • Of particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher • Low conduction losses and minimal minority-carrier recombinat	IRF	IRF
IRG4PC40	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A) Standard Speed IGBT Features • Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies (	IRF	IRF
IRG4PC40FD	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A) Fast CoPack IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-sof	IRF	IRF
IRG4PC40KD	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT	IRF	IRF
IRG4PC40U	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A) Benefits • Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available • IGBTs optimized for specified application conditions • Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz	IRF	IRF

IRG4PC40S产品属性

类型
描述
Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
31.0A
IC(@25°) max：
60.0A
ICpuls max：
120.0A
Ptot max：
160.0W
VCE(sat) ：
1.32V
Eon ：
0.45mJ
Eoff(Hard Switching) ：
6.5mJ
td(on) ：
23.0ns
tr ：
21.0ns
td(off) ：
1000.0ns
tf ：
940.0ns
QGate ：
100.0nC
Ets (max)：
6.95mJ (9.9mJ)
Switching Frequency ：
Gen 4 8-30 kHz
VCE max：
600.0V

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更新时间：2026-8-2 19:10:00

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