IRG4BH20K-SPBF价格

参考价格:¥6.1425

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4BH20K-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4BH20K-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4BH20K-SPBF

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IGBT 1200V 11A 60W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ( VCES=1200V , VCE(on)typ.=3.17V , @VGE=15V.Ic=5.0A )

Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs @ VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous

IRF

Trench Field-Stop IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=1.4V(Typ)@IC= 5A · Low Switching Losses · VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient APPLICATIONS · Frequency Converters · Home appliances · Lighting

ISC

无锡固电

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4BH20K-SPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BH20K-SPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-24 11:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
N/A
50000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
23+
2013+
7300
专注配单,只做原装进口现货
INFINEON/英飞凌
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
IR
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TO263
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绝对原装正品全新进口深圳现货
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VISHAY
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INFINEON/英飞凌
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INFINEON/英飞凌
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TO-263
10000
原装现货假一罚十
IR
16+PBF
TO-263
6400
优势

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