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IRG4BH20K-SPBF中文资料

厂家型号

IRG4BH20K-SPBF

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255.65Kbytes

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9

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4BH20K-SPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BH20K-SPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-10 17:41:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
25+
D2PAK
32360
IR全新特价IRG4BH20K-SPBF即刻询购立享优惠#长期有货
Infineon
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
VISHAY
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12000
VISHAY专营进口原装现货假一赔十
International Rectifier
2022+
2
全新原装 货期两周
INFINEON/英飞凌
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IR进口
21+
TO-263
10000
原装现货假一罚十
IR
22+
D2PAK
6000
十年配单,只做原装
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
23+
2013+
7300
专注配单,只做原装进口现货

IRG4BH20K-SPBF 价格

参考价格:¥6.1425

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