IRG4BH20K-LPBF价格

参考价格:¥7.0582

型号:IRG4BH20K-LPBF 品牌:International 备注:这里有IRG4BH20K-LPBF多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRG4BH20K-LPBF批发/采购报价,IRG4BH20K-LPBF行情走势销售排行榜,IRG4BH20K-LPBF报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4BH20K-LPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ( VCES=1200V , VCE(on)typ.=3.17V , @VGE=15V.Ic=5.0A )

Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs @ VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous

IRF

IRG4BH20K-LPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4BH20K-LPBF

封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 包装:管件 描述:IGBT 1200V 11A 60W TO262 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

Trench Field-Stop IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=1.4V(Typ)@IC= 5A · Low Switching Losses · VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient APPLICATIONS · Frequency Converters · Home appliances · Lighting

ISC

无锡固电

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4BH20K-LPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BH20K-LPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-1 10:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
11+PBF
TO-262
26
普通
Infineon
24+
NA
3586
进口原装正品优势供应
IR
22+
TO-262
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
International Rectifier
2022+
1
全新原装 货期两周
IR
2450+
TO-263
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
IR
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
23+
TO262
43000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IR
24+/25+
200
原装正品现货库存价优
IR
12+
TO-263
15000
全新原装,绝对正品,公司现货供应。
IR
24+
TO-263
30000
只做正品原装现货

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