IRG4BC40W-L价格

参考价格:¥11.5696

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 40A TO262 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.50V,@Vge=15V,Ic=27A)

Features •Fast:optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera

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FitRate/EquivalentDeviceHours

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.32V,@Vge=15V,Ic=31A)

Features •Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.72V,@Vge=15V,Ic=20A)

Features •UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Gener

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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IRG4BC40W-L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC40W-L

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Warp 60-150kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-1 10:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
23+
TO-262
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
07+/08+
TO-220-3
25
InfineonTechnologies
19+
TO-220AB
56800
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票!
IR/INFINEON
24+23+
TO262
12580
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
IR/International Rectifier/国
21+
TO262
42
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ir
dc05+
原厂封装
76
INSTOCK:50/tube/to220
IR
2405+
TO-262
4475
只做原装正品渠道订货
Infineon
1931+
N/A
493
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IR
21+
TO-262
10000
原装现货假一罚十
Infineon
22+
NA
493
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