IRG4BC40W-LPBF价格

参考价格:¥11.5696

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4BC40W-LPBF

封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 40A TO262 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)

Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera

IRF

Fit Rate / Equivalent Device Hours

文件:98.39 Kbytes Page:35 Pages

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A)

Features • Standard: optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies (

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)

Features • UltraFast: optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Gener

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件:167.69 Kbytes Page:8 Pages

IRF

IRG4BC40W-LPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC40W-LPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Warp 60-150kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-26 10:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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