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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
IRC4BC40F	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR 文件：167.69 Kbytes Page：8 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
G4BC40S	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.32V,@Vge=15V,Ic=31A) Features •Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
G4BC40U	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.72V,@Vge=15V,Ic=20A) Features •UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Gener	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC40F	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.50V,@Vge=15V,Ic=27A) Features •Fast:optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4BC40F	FitRate/EquivalentDeviceHours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

IRC4BC40F供应商更多...

更新时间：2024-6-3 11:26:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IRC503	IR	21+ROHS	TO-220-5	21368	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRC4RC20F	IR	23+		8000	只做原装现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRC4RC20F	IR	22+		6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IRC4RC20F	IR	23+		8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IRC4BC40F	IRF	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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深圳市惊羽科技有限公司	IRC503-007	VISHAY-威世	24+25+/26+27+	TO-220-5	18800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价

IRF1407PBF
IRF1407PBF
2022-7-22
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包（HD型）·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8