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芯片资料

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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IRC4BC40F	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：167.69 Kbytes Page：8 Pages	IRF	IRF
IRC4BC40F	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	Infineon 英飞凌	Infineon
G4BC40S	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A) Features • Standard: optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies (	IRF	IRF
G4BC40U	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A) Features • UltraFast: optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Gener	IRF	IRF
IRG4BC40F	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A) Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera	IRF	IRF
IRG4BC40F	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	IRF	IRF

IRC4BC40F供应商更多...

更新时间：2025-10-5 15:01:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
天津市博通航睿技术有限公司	IRC4RC20F	IR	23+		7000		询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRC4RC20F	IR	22+		6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IRC503	IR	23+	TO-220-5	21368	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市科达星科技有限公司	IRC5101-GK	IR	24+	TO-220	27500	原装正品,价格最低!	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRC4RC20F	IR	23+		8000	只做原装现货	询价

IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8