IRG4BC40UPBF价格

参考价格:¥9.7931

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IRG4BC40UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORUltraFastSpeedIGBT

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IRG4BC40UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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IRG4BC40UPBF

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 40A 160W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.50V,@Vge=15V,Ic=27A)

Features •Fast:optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.32V,@Vge=15V,Ic=31A)

Features •Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.72V,@Vge=15V,Ic=20A)

Features •UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Gener

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IRG4BC40UPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC40UPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-5 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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2020+
TO-220
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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21+
TO220
1568
10年芯程,只做原装正品现货,欢迎加微信垂询!
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TO-220
9800
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
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TO-220AB
7750
全新原装优势
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21+
TO-220
1800
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票
Infineon/Infineon Technologies
21+
TO-220
1403
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
INFINEON/英飞凌
24+
TO-220
159946
明嘉莱只做原装正品现货
INFINEON/英飞凌
22+
TO-220
10000
绝对原装现货热卖
INFINEON
18+
TO-220
1130
原装库存有订单来谈优势
IR
2020+
TO-220
9600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

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