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位置：首页 > IC中文资料第864页 > IRG4BC30U

IRG4BC30U价格

参考价格：￥7.8096

型号：IRG4BC30UDPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRG4BC30U多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4BC30U批发/采购报价，IRG4BC30U行情走势销售排行榜，IRG4BC30U报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4BC30U

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

Features • UltraFast: optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Gener

IRF

IRG4BC30U

Fit Rate / Equivalent Device Hours

文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages

IRF

IRG4BC30U

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 23A 100W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRG4BC30U

600V 超快 8-60 kHz 分立 IGBT，采用 TO-220AB 封装

Infineon

英飞凌

IRG4BC30UD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-

IRF

IRG4BC30UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-

IRF

IRG4BC30UPBF

UltraFast Speed IGBT

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package • Lead-Free Bene

IRF

IRG4BC30US

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard D2Pak package Benefits • Generati

IRF

IRG4BC30U-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard D2Pak package Benefits • Generati

IRF

IRG4BC30U-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard D2Pak package • Lead-Free Benefit

IRF

IRG4BC30UD

Fit Rate / Equivalent Device Hours

文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages

IRF

IRG4BC30UD

600V 超快 8-60 kHz Copack IGBT，采用 TO-220AB 封装

Infineon

英飞凌

IRG4BC30UDPBF

ULTRA FAST COPACK IGBT

文件：386.87 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRG4BC30UDPBF_15

ULTRA FAST COPACK IGBT

文件：386.87 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRG4BC30UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：312.26 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IRG4BC30UPBF

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 23A 100W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRG4BC30UPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：312.26 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IRG4BC30U-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT

Infineon

英飞凌

AUIRG4BC30U-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Industry standard D2Pak & TO-262 package • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * Benefits • Typical Applications: SMPS, PFC

IRF

AUIRG4BC30U-S

IGBT

DESCRIPTION · Low VCE(ON) and Switching Losses · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · Welding · PFC

ISC

无锡固电

AUIRG4BC30U-SL

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Industry standard D2Pak & TO-262 package • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * Benefits • Typical Applications: SMPS, PFC

IRF

AUIRG4BC30S-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：307.07 Kbytes Page：13 Pages

IRF

AUIRG4BC30S-SL

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：307.07 Kbytes Page：13 Pages

IRF

IRG4BC30U产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC30U

  • 功能描述

    IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce（开）

    3V @ 15V，100A 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

IRG4BC30U供应商更多...

更新时间：2025-11-21 13:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
IRG4BC30U
IR
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IRG4BC30U
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原装现货假一罚十
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深圳市柯尔基电子有限公司
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INFINEON/英飞凌
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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深圳市亿智腾科技有限公司
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Infineon Technologies
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中天科工半导体（深圳）有限公司
IRG4BC30UDPBF
INFINEON/英飞凌
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深圳市华斯顿科技有限公司
IRG4BC30U
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