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IRG4BC30US中文资料

厂家型号

IRG4BC30US

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8

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4BC30US数据手册规格书PDF详情

Features

• UltraFast: Optimized for high operating

frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200

kHz in resonant mode

• Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

Generation 3

• Industry standard D2Pak package

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

• IGBTs optimized for specified application conditions

• Designed to be a drop-in replacement for equivalent

industry-standard Generation 3 IR IGBTs

更新时间:2025-10-7 10:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
22+
D2PAK
9000
原厂渠道,现货配单
Infineon Technologies
23+
D2PAK
9000
原装正品,支持实单
IR
23+
TO-263
8000
只做原装现货
IR
23+
TO-263
7000
IR
05+
原厂原装
3701
只做全新原装真实现货供应
IR
24+
原厂封装
23
原装现货假一罚十
INFINEON
25+
TO-263
3000
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
IR
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
21+
TO-263
10000
原装现货假一罚十
IR
22+
SOT263
8000
原装正品支持实单