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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.88V,@Vge=15V,Ic=8.6A) Features •Rugged:10µsecshortcircuitcapableatVGS=15V •LowVCE(on)for4to10kHzapplications •IGBTco-packagedwithultra-soft-recoveryanti-paralleldiodes •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •BestValueforApplianceandIndustrialapplications •Offershighesteffic | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Rugged:10µsecshortcircuitcapableatVGS=15V •LowVCE(on)for4to10kHzapplications •IGBTco-packagedwithultra-soft-recoveryanti-paralleldiodes •IndustrystandardTO-220ABpackage •Lead-Free Benefits •BestValueforApplianceandIndustrialapplications •Offers | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.02V,@Vge=15V,Ic=7.8A) Features •UltraFast:Optimizedforhighfrequenciesfrom10to30kHzinhardswitching •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •BestValueforApplianceandIndustrialApplications •HighnoiseimmunePositiveOnlygated | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.02V,@Vge=15V,Ic=7.8A) UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighfrequenciesfrom10to 30kHzinhardswitching •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recovery antiparalleldiode •IndustrystandardD2Pak&TO-262packages Benefits •BestValueforApplianceandIndustrialApplications | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIOD UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighfrequenciesfrom10to 30kHzinhardswitching •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recovery antiparalleldiode •IndustrystandardD2Pak&TO-262packages •Lead-Free Benefits •BestValueforApplianceandIndustrial | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IRG4BC15UDS产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4BC15UDS
- 功能描述
IGBT 模块 600V 7.800A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
16+ |
原厂封装 |
54 |
原装现货假一罚十 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IR |
21+ |
TO-220 |
50000 |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
|||
IR |
2020+ |
TO-220AB |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
IR |
2048+ |
TO-220 |
9851 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
IR/International Rectifier/国 |
21+ |
TO-220 |
266 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
IR |
23+ |
TO-220AB |
8600 |
全新原装现货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
IR |
22+ |
TO-220 |
89678 |
||||
IR |
2015+ |
TO-220AB |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
IRG4BC15UDS芯片相关品牌
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IRG4BC15UDS参数引脚图相关
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- l100
- ku波段
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- k9f1208
- k310
- k2698
- k233
- k2055
- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- isd1420
- IRH7130
- IRH7054
- IRH60
- IRH4230
- IRH4150
- IRH4054
- IRH3230
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2021-8-10IRG4PC50WPBF
属性参数值 商品目录IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值）55A 集射极击穿电压（最大值）600V 类型- 不同Vge，Ic时的Vce（on）2.3V@15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th)6V@250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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