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IRG4BC15MD中文资料

厂家型号

IRG4BC15MD

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10

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.88V, @Vge=15V, Ic=8.6A)

IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4BC15MD数据手册规格书PDF详情

Features

• Rugged: 10µsec short circuit capable at VGS = 15V

• Low VCE(on) for 4 to 10kHz applications

• IGBT co-packaged with ultra-soft-recovery anti-parallel diodes

• Industry standard TO-220AB package

Benefits

• Best Value for Appliance and Industrial applications

• Offers highest efficiency and short circuit capability for intermediate applications

• Provides best efficiency for the mid range frequency (4 to 10kHz)

• Optimized for Appliance and Industrial applications up to 1HP

• High noise immune Positive Only gate drive - Negative bias gate drive not necessary

• For Low EMI designs - requires little or no snubbing

• Single Package switch for bridge circuit applications

• Compatible with high voltage Gate Drive ICs

• Allows simpler gate drive

IRG4BC15MD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC15MD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-5 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-220AB
8866
IR
24+
原厂封装
99
原装现货假一罚十
IR
2015+
TO-220AB
12500
全新原装,现货库存长期供应
IR
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
2022+
TO-220AB
12888
原厂代理 终端免费提供样品
IR
01+04+
TO-220
194
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IR
23+
TO-220
2694
原厂原装正品
IR
23+
TO-220
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IR
24+
NA/
194
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票