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位置：首页 > IC中文资料第4877页 > IRFSL9N60ATRR

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
9N60

isc N-Channel Mosfet Transistor

DESCRITION ·Designed for high efficiency switch mode power supply. FEATURES ·Drain Current –ID= 8.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.0Ω(Max) ·Avalanche Energy Specified ·Fast Switching ·Simple D

ISC

无锡固电

FB9N60A

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.75ohm, Id=9.2A)

Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power

IRF

BLV9N60

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：374.44 Kbytes Page：6 Pages

ESTEK

伊泰克电子

FCD9N60N

N-Channel MOSFET

文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

FCD9N60NTM

N-Channel MOSFET

文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

IRFSL9N60ATRR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFSL9N60ATRR

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRFSL9N60ATRR供应商更多...

更新时间：2025-11-24 20:07:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司
9N60MDF9N60BTH
MAGNACHIP/美格纳
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TO-220F
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
9N65G-TN3-R
UTC/友顺
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深圳市拓亿芯电子有限公司
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富凯科技(深圳）有限公司
9N60-TD2
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深圳诚思涵科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
9N60AORIG
IR
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IR
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TO220
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
9N60
FAIRCHILD
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