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FB9N60A

PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A)

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower

IRF

International Rectifier

IRF

iscN-ChannelMosfetTransistor

DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=8.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleD

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

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ESTEKEstek Electronics Co. Ltd

伊泰克电子北京伊泰克电子有限公司

ESTEK

N-ChannelMOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-ChannelMOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
更新时间:2025-5-21 10:36:00
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IR
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TO220
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