型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

iscN-ChannelMosfetTransistor

DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=8.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleD

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A)

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

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ESTEKEstek Electronics Co. Ltd

Estek Electronics Co. Ltd

ESTEK

N-ChannelMOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-ChannelMOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

IRFSL9N60ATRL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFSL9N60ATRL

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-5-29 15:07:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
UTC
2020+
TO-220
45820
公司代理品牌,原装现货超低价清仓!
UBIQ
23+
TO220F
15000
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22+
TO-220F
25000
只做原装进口现货,专注配单
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23+
TO220
8000
专注配单,只做原装进口现货
UTC
23/22+
TO251
6000
20年老代理.原厂技术支持
FAIRCHILD
23+
TO220
7635
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VB
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55000
绝对原装正品假一罚十!
UTC/友顺
2021+
TO-220F
68000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
YXYBDT/一芯源
23+
TO-220F
6000
代理台湾.原厂YXYBDT.现货
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-220F
10000
公司只做原装正品

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