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位置：首页 > IC中文资料第2066页 > IRFR230

IRFR230价格

参考价格：￥4.6091

型号：IRFR2307ZPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRFR230多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFR230批发/采购报价，IRFR230行情走势销售排行榜，IRFR230报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFR230

AUTOMOTIVE GRADE

Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and

KERSEMI

IRFR230A

Advanced Power MOSFET

FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS= 200V Low RDS(ON) : 0.333 (Typ.) W m

Fairchild

仙童半导体

IRFR230B

200V N-Channel MOSFET

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in

Fairchild

仙童半导体

IRFR2307Z

AUTOMOTIVE MOSFET

文件：300.83 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR2307Z

Advanced Process Technology

文件：1.17075 Mbytes Page：11 Pages

KERSEMI

IRFR2307Z

N-Channel MOSFET Transistor

文件：335.36 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRFR2307Z

75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装

Infineon

英飞凌

IRFR2307ZPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

文件：4.36084 Mbytes Page：11 Pages

KERSEMI

IRFR2307ZPBF

Advanced Process Technology

文件：358.34 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR2307ZPBF

Advanced Process Technology

文件：4.17109 Mbytes Page：11 Pages

KERSEMI

IRFR2307ZPBF

Advanced Process Technology

文件：358.34 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR2307ZPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

文件：369.69 Kbytes Page：12 Pages

IRF

IRFR2307ZPBF_15

Advanced Process Technology

文件：358.34 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR2307ZTRL

Advanced Process Technology

文件：4.111229 Mbytes Page：11 Pages

KERSEMI

IRFR2307ZTRLPBF

Advanced Process Technology

文件：358.34 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR2307ZTRPBF

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件：1.024819 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRFR2307ZTRR

Advanced Process Technology

文件：4.0903 Mbytes Page：11 Pages

KERSEMI

IRFR230A

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：321.02 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRFR230A

Advanced Power MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

IRFR230B

200V N-Channel MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

230

Low voltage fast-switching PNP power transistor

Description The device is a PNP transistor manufactured using new “PB-HCD” (power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage. Features • Very low collector-emitter saturation voltage • Hig

STMICROELECTRONICS

意法半导体

230

Modular Radio Telemetry System

文件：396.37 Kbytes Page：11 Pages

RFSOLUTIONS

230

1/4 FLAT PLUG PHONE PLUGS

文件：26.97 Kbytes Page：1 Pages

SWITCH

230

MINIATURE FUSES - 5x20 mm

文件：60.42 Kbytes Page：2 Pages

Littelfuse

力特

230

5x20 mm MINIATURE FUSES

文件：60.72 Kbytes Page：2 Pages

Littelfuse

力特

IRFR230产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR230

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRFR230供应商更多...

更新时间：2025-12-29 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
IRFR2307Z
IR
24+
NA/
2000
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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TO252
10048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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中天科工半导体（深圳）有限公司
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SOT-252
32000
FAIRCHILD/仙童全新特价IRFR230BTM即刻询购立享优惠#长期有货
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IRFR2307ZTRLPBF
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深圳市英博尔电子有限公司
IRFR2307ZTRLPBF
Infineon
2301+
TO252
10000
全新、原装
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深圳市科恒伟业电子有限公司
IRFR230BTM
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TO-252
9850
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IRFR230
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瀚佳科技(深圳)有限公司
IRFR2307Z
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TO-252
36000
一级代理/全新现货/长期供应!
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深圳市一线半导体有限公司
IRFR2307Z
IR
24+
D-Pak
8866
询价

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    联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095

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  • IRFR13N20DTRPBF

    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id) 235mΩ 10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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    焕盛达竭诚为广大客户提供一站式配套服务，解决您的BOM表采购之痛，让您采购无忧！

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