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IRFR230B	200V N-Channel MOSFET These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRFR230B	200V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
230	Low voltage fast-switching PNP power transistor Description The device is a PNP transistor manufactured using new “PB-HCD” (power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage. Features • Very low collector-emitter saturation voltage • Hig	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
230	Modular Radio Telemetry System 文件：396.37 Kbytes Page：11 Pages	RFSOLUTIONS	RFSOLUTIONS
230	1/4 FLAT PLUG PHONE PLUGS 文件：26.97 Kbytes Page：1 Pages	SWITCH	SWITCH
230	MINIATURE FUSES - 5x20 mm 文件：60.42 Kbytes Page：2 Pages	Littelfuse 力特	Littelfuse
230	5x20 mm MINIATURE FUSES 文件：60.72 Kbytes Page：2 Pages	Littelfuse 力特	Littelfuse

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更新时间：2025-11-24 20:00:00

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IRFR15N20DTRPBF
表面贴装型 N 通道 200 V 17A（Tc） 3W（Ta），140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
2022-10-19
IRFR13N20DTRPBF
联系人张生电话19926428992 QQ1924037095
2021-10-12
IRFR13N20DTRPBF
属性参数值商品目录场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id) 235mΩ 10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道
2021-10-12
IRFR320TRPBF深圳原装进口无铅现货
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2021-1-26
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2020-12-24
IRFR2405PDF资料原装正品供应商
IRFR2405 PDF资料
2019-1-28