IRFR2307ZTRL价格

参考价格:¥4.9116

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFR2307ZTRL

Advanced Process Technology

文件:4.111229 Mbytes Page:11 Pages

KERSEMI

Advanced Process Technology

文件:358.34 Kbytes Page:11 Pages

IRF

7.0 Watts - 20 Volts, Class C Microwave 2300 MHz

GENERAL DESCRIPTION The 2307 is a COMMON BASE transistor capable of providing 7 Watts Class C, RF output power at 2300 MHz. Gold metalization and diffused ballasting are used to provide high reliability and supreme ruggedness. The transistor uses a fully hermetic High Temperature Solder Sealed pa

GHZTECH

MICROWAVE CW BIPOLAR

[ACRIAN INC] GENERAL DESCRIPTION The 2307 is a common base transistor capable of providing 7 Watts CW RF output power at 2300 MHz. This hermetically sealed transistor is specifically designed for telemetry and telcommunications applications. It uiilizes gold metalilzation and diffused ballasting

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

3M??Masking Tape 2307

文件:131.009 Kbytes Page:5 Pages

3M

Pneumatic muffler

文件:101.63 Kbytes Page:1 Pages

FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

Nylon Hose Clamps

文件:116.22 Kbytes Page:1 Pages

HEYCO

IRFR2307ZTRL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR2307ZTRL

  • 制造商

    KERSEMI

  • 制造商全称

    Kersemi Electronic Co., Ltd.

  • 功能描述

    Advanced Process Technology

更新时间:2026-1-27 16:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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