IRFR2307Z价格

参考价格:¥4.6091

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFR2307Z

AUTOMOTIVE MOSFET

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IRF

IRFR2307Z

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

IRFR2307Z

Advanced Process Technology

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KERSEMI

IRFR2307Z

75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装

Infineon

英飞凌

Advanced Process Technology

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IRF

Advanced Process Technology

文件:358.34 Kbytes Page:11 Pages

IRF

Advanced Process Technology

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KERSEMI

AUTOMOTIVE MOSFET

文件:4.36084 Mbytes Page:11 Pages

KERSEMI

HEXFET짰 Power MOSFET

文件:369.69 Kbytes Page:12 Pages

IRF

Advanced Process Technology

文件:358.34 Kbytes Page:11 Pages

IRF

Advanced Process Technology

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KERSEMI

Advanced Process Technology

文件:358.34 Kbytes Page:11 Pages

IRF

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Advanced Process Technology

文件:4.0903 Mbytes Page:11 Pages

KERSEMI

MICROWAVE CW BIPOLAR

[ACRIAN INC] GENERAL DESCRIPTION The 2307 is a common base transistor capable of providing 7 Watts CW RF output power at 2300 MHz. This hermetically sealed transistor is specifically designed for telemetry and telcommunications applications. It uiilizes gold metalilzation and diffused ballasting

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

7.0 Watts - 20 Volts, Class C Microwave 2300 MHz

GENERAL DESCRIPTION The 2307 is a COMMON BASE transistor capable of providing 7 Watts Class C, RF output power at 2300 MHz. Gold metalization and diffused ballasting are used to provide high reliability and supreme ruggedness. The transistor uses a fully hermetic High Temperature Solder Sealed pa

GHZTECH

Pneumatic muffler

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FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

3M??Masking Tape 2307

文件:131.009 Kbytes Page:5 Pages

3M

Nylon Hose Clamps

文件:116.22 Kbytes Page:1 Pages

Heyco

IRFR2307Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR2307Z

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO252
10048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
56250
原装现货,当天可交货,原型号开票
IR
24+
TO-252
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
IR
24+
TO-252
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
INFINEON/英飞凌
22+
TO-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
INFINEON/英飞凌
25+
D-Pak
65248
百分百原装现货 实单必成
Infineon
2301+
TO252
10000
全新、原装
IR
24+
TO-252
36000
一级代理/全新现货/长期供应!
IR
25+23+
TO-252
14643
绝对原装正品全新进口深圳现货
INFINEON/英飞凌
2023+
TO-252
1000
专注全新正品,优势现货供应

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  • IRFR13N20DTRPBF

    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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