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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A) Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters | IRF |   | ||
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A) Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters | IRF | | ||
SMPS MOSFET 文件：3.72818 Mbytes Page：10 Pages | KERSEMI | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.82 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.82 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
IRFR13N20DTRRP产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFR13N20DTRRP
- 功能描述
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
10391 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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IR |
2016+ |
TO252 |
5623 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
IR |
24+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
|||
IR |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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IR |
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TO-252 |
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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IR |
2023+ |
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IR |
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|||
IOR |
25+23+ |
TO-252 |
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绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
IR |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
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TO-252 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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IRFP4668PBF
2022-6-27IRFR13N20DTRPBF
联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095
2021-10-12IRFR13N20DTRPBF
属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id) 235mΩ 10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道
2021-10-12IRFR320TRPBF深圳原装进口无铅现货
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2019-1-28
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