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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)

Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters

IRF

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)

Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters

IRF

SMPS MOSFET

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KERSEMI

N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.82 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.82 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFR13N20DTRRP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR13N20DTRRP

  • 功能描述

    MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-30 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
25+
TO-252-2(DPAK)
21000
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
IR
2016+
TO252
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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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24+
TO-252
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
INFINEON/英飞凌
24+
TO-252
159978
明嘉莱只做原装正品现货
IR
23+
SOT-252
65400
IR
2025+
TO-252
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全新原厂原装产品、公司现货销售
INFINEON/英飞凌
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INFINEON/英飞凌全新特价IRFR13N20DTRPBF即刻询购立享优惠#长期有货
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INFINEON
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TO-252
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2(DPAK)
21000
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

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