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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)

Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters

IRF

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)

Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters

IRF

SMPS MOSFET

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KERSEMI

N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.82 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.82 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFR13N20DTRRP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR13N20DTRRP

  • 功能描述

    MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-24 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
IR
24+
NA/
10391
原装现货,当天可交货,原型号开票
INFINEON/英飞凌
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TO-252
54648
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INFINEON/英飞凌
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159978
明嘉莱只做原装正品现货
INFINEON/英飞凌
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INFINEON/英飞凌全新特价IRFR13N20DTRPBF即刻询购立享优惠#长期有货
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