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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFR12N25DPBF | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(on)max = 0.26廓 , ID = 14A ) Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free | IRF |   | |
IRFR12N25DPBF | SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free | KERSEMI | | |
IRFR12N25DPBF | High frequency DC-DC converters 文件：231.09 Kbytes Page：11 Pages | IRF | | |
IRFR12N25DPBF | High frequency DC-DC converters 文件：231.09 Kbytes Page：11 Pages | IRF | | |
SMPS MOSFET 文件：115.42 Kbytes Page：10 Pages | IRF | | ||
12A, 250V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：194.75 Kbytes Page：5 Pages | UTC 友顺 | | ||
12A, 250V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：204.28 Kbytes Page：5 Pages | UTC 友顺 | |
IRFR12N25DPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFR12N25DPBF
- 功能描述
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
3830 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
IR |
06+ |
TO-252 |
2038 |
||||
IR |
25+23+ |
TO-252 |
26869 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
IR |
2450+ |
TO-252 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
IR |
24+ |
TO-252 |
2038 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
IR |
1923+ |
TO-252 |
6896 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
IR |
20+ |
DPAK |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
IRFR12N25DPBF芯片相关品牌
IRFR12N25DPBF规格书下载地址
IRFR12N25DPBF参数引脚图相关
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- jk触发器
- j111
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- IRFS450
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IRFR12N25DPBF数据表相关新闻
IRFR15N20DTRPBF
表面贴装型 N 通道 200 V 17A（Tc） 3W（Ta），140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
2022-10-19IRFP4668PBF 全新原装现货
IRFP4668PBF
2022-6-27IRFR13N20DTRPBF
联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095
2021-10-12IRFR13N20DTRPBF
属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id) 235mΩ 10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道
2021-10-12IRFP460PBF
IRFP460PBF
2021-5-20IRFP460PBF 原装正品 现货供应
IRFP460PBF 原装现货供应 0755-28892389 13713856319 QQ:2639752116
2021-3-12
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