IRFR1205T价格

参考价格:¥3.1653

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Ultra LowOn-Resistance

Features VDS (V) = 55V ID= 44A (VGS=10V) RDS(ON) 27m (VGS = 10V)

UMW

友台半导体

MOSFET

Features VDS (V) = 55V ID= 44A (VGS=10V) RDS(ON)

EVVOSEMI

翊欧

Ultra Low On-Resistance

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for,

IRF

N-Channel Enhancement Mode MOSFE

Features | ® Vos =60V,lo =28A Rosny

TECHPUBLIC

台舟电子

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

文件:988.71 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Ultra Low On-Resistance

文件:4.02641 Mbytes Page:10 Pages

KERSEMI

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

文件:988.67 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

RF Coated Chokes (Axial Leads)

文件:124.87 Kbytes Page:2 Pages

FRONTIER

3M??Polyimide Film Electrical Tape 1205

文件:24.88 Kbytes Page:2 Pages

3M

BUILT-IN SERVO DRIVE INTEGRATED MOTOR-Brushed

文件:4.15714 Mbytes Page:1 Pages

ASSUN

BUILT-IN SERVO DRIVE INTEGRATED MOTOR-Brushed

文件:4.95567 Mbytes Page:1 Pages

ASSUN

METAL BRUSH

文件:210.69 Kbytes Page:1 Pages

ASSUN

IRFR1205T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR1205T

  • 制造商

    International Rectifier

  • 功能描述

    MOSFET, 55V, 37A, 27 mOhm, 43.3 nC Qg, D-Pak

更新时间:2026-1-4 9:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
24+
TO-252
20000
只做原装 有挂有货 假一赔十
INFINEON/英飞凌
20+
TO-252
2384
原装现货
Infineon(英飞凌)
25+
TO-252-2(DPAK)
12421
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
IR
25+
TO-252
35682
IR全新特价IRFR1205TRPBF即刻询购立享优惠#长期有货
IR
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TO-252
50000
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IRFR1205TRPBF,绝对正品,欢迎咨询洽谈。
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
20000
进口原装现货
IR
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
Infineon(英飞凌)
25+
TO-252-2(DPAK)
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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
INFINEON/英飞凌
24+
TO-252
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明嘉莱只做原装正品现货
IR
24+
TO-252
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保证进口原装现货假一赔十

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    联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095

    2021-10-12
  • IRFR13N20DTRPBF

    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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    2021-3-12