IRFR1205TRPBF价格

参考价格:¥2.1943

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFR1205TRPBF

Ultra Low On-Resistance

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for,

IRF

IRFR1205TRPBF

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

文件:988.71 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Enhancement Mode MOSFE

Features | ® Vos =60V,lo =28A Rosny

TECHPUBLIC

台舟电子

BUILT-IN SERVO DRIVE INTEGRATED MOTOR-Brushed

文件:4.15714 Mbytes Page:1 Pages

ASSUN

BUILT-IN SERVO DRIVE INTEGRATED MOTOR-Brushed

文件:4.95567 Mbytes Page:1 Pages

ASSUN

METAL BRUSH

文件:210.69 Kbytes Page:1 Pages

ASSUN

3M??Polyimide Film Electrical Tape 1205

文件:24.88 Kbytes Page:2 Pages

3M

RF Coated Chokes (Axial Leads)

文件:124.87 Kbytes Page:2 Pages

FRONTIER

IRFR1205TRPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR1205TRPBF

  • 功能描述

    MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-19 16:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR原装
24+
TO-252
30980
原装现货/放心购买
Infineon/英飞凌
21+
TO-252-2(DPAK)
6820
只做原装,质量保证
IR
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TO-252
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保证进口原装可开17%增值税发票
IR
24+
TO-252
20540
保证进口原装现货假一赔十
IR
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TO-252
7500
IR原-装-现-货假-一-赔-十
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TO252
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24+
TO-252
20000
只做原装 有挂有货 假一赔十

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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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