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位置：首页 > IC中文资料第2926页 > IRFR1205

IRFR1205价格

参考价格：￥2.2039

型号：IRFR1205PBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRFR1205多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFR1205批发/采购报价，IRFR1205行情走势销售排行榜，IRFR1205报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFR1205

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A??

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p

IRF

IRFR1205

Ultra Low On-Resistance

Description The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for through hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications. • Ultr

KERSEMI

IRFR1205

MOSFET

Features VDS (V) = 55V ID= 44A (VGS=10V) RDS(ON)

EVVOSEMI

翊欧

IRFR1205

N-Channel MOSFET Transistor

文件：334.65 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRFR1205

采用 D-Pak 封装的 55V 单 N 通道 IR MOSFET

Infineon

英飞凌

IRFR1205PBF

HEXFET Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for,

IRF

IRFR1205PBF

ULTRA LOW ON-RESISTANCE

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for,

KERSEMI

IRFR1205TR

MOSFET

Features VDS (V) = 55V ID= 44A (VGS=10V) RDS(ON)

EVVOSEMI

翊欧

IRFR1205TR

Ultra LowOn-Resistance

Features VDS (V) = 55V ID= 44A (VGS=10V) RDS(ON) 27m (VGS = 10V)

UMW

友台半导体

IRFR1205TRPBF

Ultra Low On-Resistance

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for,

IRF

IRFR1205TRPBF-TP

N-Channel Enhancement Mode MOSFE

Features | ® Vos =60V,lo =28A Rosny

TECHPUBLIC

台舟电子

IRFR1205PBF

ULTRA LOW ON RESISTANCE

文件：398.79 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR1205PBF_15

ULTRA LOW ON RESISTANCE

文件：398.79 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR1205TRPBF

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

文件：988.71 Kbytes Page：6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRFR1205TRR

Ultra Low On-Resistance

文件：4.02641 Mbytes Page：10 Pages

KERSEMI

IRFR1205TRRPBF

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

文件：988.67 Kbytes Page：6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

1205

BUILT-IN SERVO DRIVE INTEGRATED MOTOR-Brushed

文件：4.15714 Mbytes Page：1 Pages

ASSUN

1205

BUILT-IN SERVO DRIVE INTEGRATED MOTOR-Brushed

文件：4.95567 Mbytes Page：1 Pages

ASSUN

1205

METAL BRUSH

文件：210.69 Kbytes Page：1 Pages

ASSUN

1205

3M??Polyimide Film Electrical Tape 1205

文件：24.88 Kbytes Page：2 Pages

3M

1205

RF Coated Chokes (Axial Leads)

文件：124.87 Kbytes Page：2 Pages

FRONTIER

IRFR1205产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR1205

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRFR1205供应商更多...

更新时间：2025-11-19 10:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
IRFR1205
IR
21+
TO252
1709
询价
京海半导体(深圳)有限公司
IRFR1205
IR
21+
TO-252
10000
原装现货假一罚十
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深圳市纳睿斯电子科技有限公司
IRFR1205TRPBF
INFINEON/英飞凌
23+
20000
原装现货,可追溯原厂渠道
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深圳市宇集芯电子有限公司
IRFR1205
IR
24+
TO-252
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
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深圳市南科功率半导体有限公司
IRFR1205TRPBF
NK/南科功率
2025
TO-252
3202
国产南科
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深圳市得捷芯城科技有限公司
IRFR1205TRPBF
IR(国际整流器)
24+
N/A
9788
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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深圳市华斯顿科技有限公司
IRFR1205
IR
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TO252
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
IRFR1205
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深圳市明嘉莱科技有限公司
IRFR1205
IR
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TO 252
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深圳市振宏微科技有限公司
IRFR1205
INTERNATIONA
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DPAK
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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id) 235mΩ 10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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    IRFP460PBF

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  • IRFP460PBF 原装正品 现货供应

    IRFP460PBF 原装现货供应 0755-28892389 13713856319 QQ:2639752116

    2021-3-12

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