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型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IRFIZ24G_V01 | Power MOSFET 文件:909.58 Kbytes Page:10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | ||
Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • Fast switching • Ease of paralleling • Material categorization: for definitions of complianc | VishayVishay Siliconix 威世科技 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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