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IRLIZ24G_V01

Power MOSFET

FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • Fast switching • Ease of paralleling • Material categorization: for definitions of complianc

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Power MOSFET

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更新时间:2026-2-2 19:13:00
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