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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The GT52N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 52A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 30mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement?묺ode D2PAK

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Enhancement?묺ode D2PAK

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 60 Amps, 100 Volts

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-29 23:01:01
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    型号:IRFB42N20DPBF

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    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

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