IRFB4410PBF

发布企业:深圳市粤骏腾电子科技有限公司时间:2019-3-5 11:25:00

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IRFB4410PBF

IRFB4410PBF

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 HEXFET?

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 88A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 10 毫欧 @ 58A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5150pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 200W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

HEXFET Power MOSFET

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N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

HEXFETPower MOSFET

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High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

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2026-1-3 23:01:00
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