IRFB4410PBF

IRFB4410PBF

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 HEXFET?

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 88A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 58A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 150μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 180nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5150pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 200W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3