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位置：首页 > IC中文资料第4425页 > IRF9Z24STR

IRF9Z24STR价格

参考价格：￥5.2834

型号：IRF9Z24STRRPBF 品牌：VISHAY 备注：这里有IRF9Z24STR多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF9Z24STR批发/采购报价，IRF9Z24STR行情走势销售排行榜，IRF9Z24STR报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF9Z24

P-CHANNEL POWER MOSFETs

FEATURES • Lower RDS(ON) • Improved inductive ruggedness • Fast switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Lower input capacitance • Extended safe operating area • Improved high tmeperature reliability

Samsung

三星

IRF9Z24

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipa

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z24

POWER MOSFET

Description Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissi

IRF

IRF9Z24

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：280.77 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRF9Z24

Power MOSFET

文件：277.52 Kbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z24STRL

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer wit

VishayVishay Siliconix

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IRF9Z24STRLPBF

Power MOSFET

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IRF9Z24STRR

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IRF9Z24STRRPBF

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IRF9Z24STRLPBFA

Power MOSFET

文件：207.54 Kbytes Page：9 Pages

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IRF9Z24STRRPBFA

Power MOSFET

文件：207.54 Kbytes Page：9 Pages

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IRF9Z24STR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF9Z24STR

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRF9Z24STR供应商更多...

更新时间：2025-11-4 20:53:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
IRF9Z24NPBF
IR/VISHAY
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TO-220
45000
IR/VISHAY全新现货IRF9Z24NPBF即刻询购立享优惠#长期有排单订
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D2-PAK
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IRF9Z24N
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    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18

  • IRFB3607PBF

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