IRF9Z24NPBF

时间:2020-4-18 13:01:00

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数据列表 IRF9Z24NPbF;_

标准包装 50

包装 管件

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 HEXFET?

其它名称 *IRF9Z24NPBF

SP001555934

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 175 毫欧 @ 7.2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 45W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

P-CHANNEL POWER MOSFETs

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

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威世科技威世科技半导体

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威世科技威世科技半导体

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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威世科技威世科技半导体

isc P-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

Power MOSFET

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威世科技威世科技半导体

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A)

IRF

International Rectifier

2025-8-10 9:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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