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RoHsCompliant

Description TheIRF6691PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRF6691TR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF6691TR1

  • 功能描述

    MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-4 8:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
1342+
4000
原装现货
Infineon Technologies
21+
DIRECTFET? MT
1000
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!
Infineon Technologies
23+
原装
5000
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IR
0811+
QFN
3305
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微
IR
23+
NA/
419
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
INFINEON
22+
1000
原厂原装,价格优势!13246658303
IR
23+
SOT223
7750
全新原装优势
IR
2020+
QFN
2360
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
IR
22+
QFN
8000
原装正品支持实单
IOR
23+
DIRECTFE
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售

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