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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRF6691TR1 | HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode ● Application Specific MOSFETs ● Integrates Monolithic Trench Schottky Diode ● Ideal for CPU Core DC-DC Converters ● Low Conduction Losses ● Low Reverse Recovery Losses ● Low Switching Losses ● Low Reverse Recovery Charge and Low Vf ● Low Profile ( | IRF International Rectifier |  |   |
RoHs Compliant Description The IRF6691PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout | IRF International Rectifier | | |
IRF6691TR1产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF6691TR1
- 功能描述
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
IR |
17+ |
DIRECTFET |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
IR |
24+ |
QFN |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
INFINEON |
25+ |
QFN |
4000 |
原厂原装,价格优势 |
|||
IOR |
21+ |
QFN/Dir |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
|||
IR |
23+ |
QFNDirectFET-M |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IR |
ROHS |
13352 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
IR |
2447 |
DIRECTFET |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
IR |
1923+ |
DIRECTFET |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
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IRF6691TR1规格书下载地址
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- k233
- k2055
- k2010
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- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
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- IRF7207
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- IRF713
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2019-3-25
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