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IRF6691TR1中文资料

厂家型号

IRF6691TR1

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功能描述

HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode

MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC

数据手册

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生产厂商

IRF

IRF6691TR1数据手册规格书PDF详情

HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode

● Application Specific MOSFETs

● Integrates Monolithic Trench Schottky Diode

● Ideal for CPU Core DC-DC Converters

● Low Conduction Losses

● Low Reverse Recovery Losses

● Low Switching Losses

● Low Reverse Recovery Charge and Low Vf

● Low Profile (<0.7 mm)

● Dual Sided Cooling Compatible

● Compatible with existing Surface Mount Techniques

IRF6691TR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF6691TR1

  • 功能描述

    MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-6 16:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2019+
QFN
36000
原盒原包装 可BOM配套
IR
24+
DIRECTFET
45000
IR代理原包原盒,假一罚十。最低价
IR
24+
原厂封装
963
原装现货假一罚十
IOR
2007
DIRECTFET
835
原装现货海量库存欢迎咨询
Infineon Technologies
21+
DIRECTFET? MT
1000
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24+
65230
INFINEON
25+
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QFN
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10000
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Infineon Technologies
22+
DirectFET? Isometric MT
9000
原厂渠道,现货配单