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IRF6718L2TRPBF数据表
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DirectFET-L6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 270 A
Rds On-漏源导通电阻: 1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 64 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 4.3 W
配置: Single
商标名: DirectFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.74 mm
长度: 9.15 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 7.1 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 820 S
下降时间: 53 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 140 ns
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 47 ns
典型接通延迟时间: 67 ns
零件号别名: SP001523928
