IRF6619TR价格

参考价格:¥6.5000

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

DirectFET Power MOSFET

Description The IRF6619 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout

IRF

Low Profile (0.7 mm)

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IRF

Ideal for CPU Core DC-DC Converters

文件:296.92 Kbytes Page:10 Pages

IRF

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IRF

DirectFET Power MOSFET

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RF AMPLIFIER MODEL

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APITECH

N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device

文件:58.7 Kbytes Page:7 Pages

SANYO

三洋

General-Purpose Switching Device Applications

文件:445.59 Kbytes Page:7 Pages

SANYO

三洋

IRF6619TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF6619TR

  • 功能描述

    MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-27 13:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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